"Determination of site occupancy of boron in 6H–SiC by multiple-wavelength neutron holography"が Applied Physics Lettersに掲載されました。林教授 (計画班A02-1) 、大山教授 (公募班)らによって、白色中性子ホログラフィーを用いて、パワー半導体SiCのドーパントのB周辺に形成される超秩序構造の決定を行いました。
本成果は3月28号の表紙にも採用され、プレスリリースも行いました。
[論文リンク] [プレスリンク:名工大J-PARC