論文“Anomalous atomic fluctuations in the local structure around Mn of (Zn,Sn,Mn)As2 thin films”がPhysical Review B誌に掲載されました。林 好一教授(計画班A02-1)及び細川伸也教授(公募班A01)らが、蛍光X線ホログラフィーと第一原理計算を用いて、室温強磁性半導体Mn:ZnSnAs2における磁性元素Mnの局所構造と役割について明らかにしました。特に、Mn-As化学結合が周辺格子の大きな乱れと強磁性カップリングを創出することを解明しました。
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