"Single-crystal thin film growth of the Mott insulator EuVO3 under biaxial substrate strain"がJournal of Crystal Growthに掲載されました。公募班A01の高津 浩講師らの研究グループは、分子線エピタキシー法によりEuVO3のエピタキシャル薄膜の開発に成功しました。薄膜特有の基板応力を用いることで擬正方晶構造のEuVO3が安定化すること等が明らかになりました。今後、応力下のトポケミカル反応を施すことで、酸素空孔やアニオン配位の異なる新規化合物開拓につながる可能性があり、超秩序構造の観点から新しい機能性材料の開発が期待できます。
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