論文"Semiconductor–metal transition in Bi2Se3 caused by impurity doping"が、Scitentific Reportsに掲載されました。岡山大学の後藤准教授、久保園教授(A01-1)が中心となって、トポロジカル絶縁体Bi2Se3にAgを添加することで誘起される半導体-金属転移の起源を、電子輸送計測によって詳細に調べ、フェルミ準位のピニングが重要な役割を果たしていることを見出しました。A02-1の林教授、木村助教との共同研究です。[論文リンク]
