論文"Atomic structure analysis of gallium oxide at the Al2O3/GaN interface using photoelectron holography"がApplied Physics Expressに掲載されました。奈良先端科学技術大学院大学の上沼先生、松下先生(A03-2)、橋本先生(A02-2)、近畿大学の藤井先生(公募班A01)の共同研究により、Al2O3とGaNの界面の原子配列を光電子ホログラフィーによって明らかにしました。内殻ケミカルシフトを利用して、GaNとGaOの結合状態を分離することで、界面のGaOの光電子ホログラムを得ることに成功し、そこから原子配列情報を得ることに成功しました。GaNパワーデバイス性能向上の為の機構の理解に関する重要な成果です。［論文リンク］
